öÕÒÎÁÌ üËÓÐÅÒÉÍÅÎÔÁÌØÎÏÊ É ôÅÏÒÅÔÉÞÅÓËÏÊ æÉÚÉËÉ
îáþáìï | ðïéóë | äìñ á÷ôïòï÷ | ðïíïýø      e
ïÂÝÁÑ ÉÎÆÏÒÍÁÃÉÑ Ï ÖÕÒÎÁÌÅ
úÏÌÏÔÙÅ ÓÔÒÁÎÉÃÙ
áÄÒÅÓÁ ÒÅÄÁËÃÉÉ
óÏÄÅÒÖÁÎÉÅ ÖÕÒÎÁÌÁ
óÏÏÂÝÅÎÉÑ ÒÅÄÁËÃÉÉ
ðÒÁ×ÉÌÁ ÄÌÑ Á×ÔÏÒÏ×
úÁÇÒÕÚÉÔØ ÓÔÁÔØÀ
ðÒÏ×ÅÒÉÔØ ÓÔÁÔÕÓ ÓÔÁÔØÉ


öüôæ, ôÏÍ 127, ÷ÙÐ. 3, íÁÒÔ 2005
(áÎÇÌÉÊÓËÉÊ ÐÅÒÅ×ÏÄ - JETP, Vol. 100, No 3, March 2005 ÄÏÓÔÕÐÅÎ on-line ÎÁ www.springer.com )


áÔÏÍÙ, ÍÏÌÅËÕÌÙ, ÏÐÔÉËÁ

ïðòåäåìåîéå ðáòáíåôòï÷ óéóôåí ó úáðáúäù÷áàýåê ïâòáôîïê ó÷ñúøà ðï èáïôéþåóëéí ÷òåíåîîùí òåáìéúáãéñí
  515
äéæòáëãéïîîïå éúìõþåîéå âùóôòïê þáóôéãù îá òåúïîáîóîïê þáóôïôå
  528
ëïçåòåîôîùê ëïîôòïìø ë÷áîôï÷ùè ëïòòåìñãéê ÷ áôïíîùè óéóôåíáè
  536
÷åòïñôîïóôé òáäéáãéïîîùè ðåòåèïäï÷ íåöäõ ûôáòëï÷óëéíé óïóôïñîéñíé ïòôïçåìéñ
  551
éóóìåäï÷áîéå ÷ïúíïöîïóôé óåìåëãéé íïìåëõì, ÷îåäòåîîùè ÷ îáîïëáðåìøëé (ëìáóôåòù) ó÷åòèôåëõþåçï çåìéñ
  570
DOUBLE IONIZATION OF HELIUM BY RELATIVISTIC HIGHLY CHARGED ION IMPACT
  583
ðòéçïôï÷ìåîéå âéæïôïîï÷ ÷ ðòïéú÷ïìøîïí ðïìñòéúáãéïîîïí óïóôïñîéé
  589

ñÄÒÁ, ÞÁÓÔÉÃÙ, ÐÏÌÑ, ÇÒÁ×ÉÔÁÃÉÑ É ÁÓÔÒÏÆÉÚÉËÁ

áëëòåãéñ ôåíîïê üîåòçéé îá þåòîõà äùòõ
  597
óôòõëôõòá íáçîéôîïçï ðïìñ íáçîéôïóæåòù àðéôåòá
  610

ðÏÒÑÄÏË, ÂÅÓÐÏÒÑÄÏË É ÆÁÚÏ×ÙÅ ÐÅÒÅÈÏÄÙ × ËÏÎÄÅÎÓÉÒÏ×ÁÎÎÙÈ ÓÒÅÄÁÈ

óëïòïóôø é úáôõèáîéå çéðåòú÷õëá ÷ ëòéôéþåóëïê ïâìáóôé òáóô÷ïòá
  623
÷éèòå÷ïå óïóôïñîéå áîôéæåòòïíáçîåôéëá ó ïäîïïóîïê áîéúïôòïðéåê
  633
óìïéóôùå óôòõëôõòù ôéðá öåìåúï/èòïí ó ðïþôé éäåáìøîùíé çòáîéãáíé òáúäåìá ÷ï ÷îåûîåí íáçîéôîïí ðïìå
  643
÷ùóïëïþáóôïôîùê îåìéîåêîùê ïôëìéë ôïîëéè ðìåîïë ó÷åòèðòï÷ïäîéëï÷ óï óíåûáîîïê d- é s-óéííåôòéåê
  652

üÌÅËÔÒÏÎÎÙÅ Ó×ÏÊÓÔ×Á Ô×ÅÒÄÙÈ ÔÅÌ

THERMAL CORRECTION TO RESISTIVITY IN DILUTE Si-MOSFET TWO-DIMENSIONAL SYSTEMS
  674
üìåëôòïîîùê óðåëôò é ôåíðåòáôõòá ó÷åòèðòï÷ïäñýåçï ðåòåèïäá óéìøîïëïòòåìéòï÷áîîùè æåòíéïîï÷ ó ôòåèãåîôòï÷ùíé ÷úáéíïäåêóô÷éñíé
  686

óÔÁÔÉÓÔÉÞÅÓËÁÑ, ÎÅÌÉÎÅÊÎÁÑ ÆÉÚÉËÁ, ÆÉÚÉËÁ <<ÍÑÇËÏÊ ÍÁÔÅÒÉÉ>>

òáóþåô õòá÷îåîéñ óïóôïñîéñ ðìïôîïê ÷ïäïòïäîïê ðìáúíù íåôïäïí éîôåçòáìï÷ ðï ôòáåëôïòéñí æåêîíáîá
  696
 
óÏÏÂÝÉÔØ Ï ÔÅÈÎÉÞÅÓËÉÈ ÐÒÏÂÌÅÍÁÈ