ВЕРОЯТНОСТИ РАДИАЦИОННЫХ ПЕРЕХОДОВ МЕЖДУ ШТАРКОВСКИМИ СОСТОЯНИЯМИ ОРТОГЕЛИЯ
Каменский А.А., Овсянников В.Д.

Поступила в редакцию: 13 Сентября 2004

PACS: 32.60.+i, 32.70.Fw

DJVU (217.9K)

PDF (471.4K)

Рассчитана зависимость волновых функций, матричных элементов и вероятностей радиационных переходов между штарковскими подуровнями атомных мультиплетов от напряженности постоянного электрического поля. Общие выражения для волновой функции мультиплетного состояния в поле, полученные по теории возмущений для близких уровней с использованием полностью редуцированной функции Грина, позволяют определить зависимость от поля как дипольно-разрешенных, так и дипольно-запрещенных радиационных амплитуд. Получено разложение на неприводимые части амплитуды второго порядка для переходов между подуровнями тонкой структуры двух уровней одинаковой четности. Результаты численных расчетов вероятностей радиационных переходов между триплетными состояниями гелия демонстрируют возможность экспериментального наблюдения эффекта появления и исчезновения штарковских линий радиационных переходов в области полей антикроссинга.