ЖЭТФ, Том 90,
Вып. 4,
стр. 1318 (Апрель 1986)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 63,
No. 4,
p. 771,
April 1986
)
Статья доступна on-line только в английском переводе.
Relation between localized and mobile states of electrons in quantization of Hall
resistance in silicon MIS structures
Relation between localized and mobile states of electrons in quantization of Hall resistance in silicon MIS structures
M.G. Gavrilov, I.V. Kukushkin
Поступила в редакцию: 27 Июня 1985
|
|
Золотые страницы
PDF (221.2K)