JETP, Vol. 63,
No 4,
p. 771 (April 1986)
(Русский оригинал - ЖЭТФ,
Том 90,
Вып. 4,
стр. 1318,
Апрель 1986
)
Relation between localized and mobile states of electrons in quantization of Hall
resistance in silicon MIS structures
Relation between localized and mobile states of electrons in quantization of Hall resistance in silicon MIS structures
M.G. Gavrilov, I.V. Kukushkin
Поступила в редакцию: 27 Июня 1985
|
|
Золотые страницы
PDF (221.2K)