ЖЭТФ, Том 89,
Вып. 5,
стр. 1692 (Ноябрь 1985)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 62,
No. 5,
p. 976,
November 1985
)
Статья доступна on-line только в английском переводе.
Energy gaps and the role of disorder under conditions of fractional quantization of the Hall resistance in silicon metal-oxide-semiconductor structures
I.V. Kukushkin, V.B. Timofeev
Поступила в редакцию: 28 Марта 1985
|
|
Золотые страницы
PDF (288.9K)