JETP, Vol. 62,
No 5,
p. 976 (November 1985)
(Русский оригинал - ЖЭТФ,
Том 89,
Вып. 5,
стр. 1692,
Ноябрь 1985
)
Energy gaps and the role of disorder under conditions of fractional quantization of the Hall resistance in silicon metal-oxide-semiconductor structures
I.V. Kukushkin, V.B. Timofeev
Поступила в редакцию: 28 Марта 1985
|
|
Золотые страницы
PDF (288.9K)