ЖЭТФ, Том 168,
Вып. 3,
стр. 285 (Сентябрь 2025)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 141, No 3,
September 2025
доступен on-line на www.springer.com
)
Механизм межзонной оже-рекомбинации в InGaN/GaN квантовых ямах в присутствии встроенного пьезоэлектрического поля
Самосват Д.М., Гришунов В.В., Зегря Г.Г.
Поступила в редакцию: 11 Марта 2025
DOI: 10.31857/S0044451025090019
Анализируется влияние встроенного пьезоэлектрического поля на механизм оже-рекомбинации в квантовых ямах InGaN/GaN. Приводятся аналитические выражения для коэффициентов беспорогового и квазипорогового каналов оже-рекомбинации. Показано, что с ростом пьезоэлектрического поля Ef коэффициенты оже-рекомбинации убывают, что связано с общим уменьшением интегралов перекрытия между состояниями валентной зоны и зоны проводимости.
|
|
Золотые страницы
PDF (467.4K)