Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 168, Вып. 3, Сентябрь 2025
(Английский перевод - JETP, Vol. 141, No 3, September 2025 доступен on-line на www.springer.com )


1. Атомы, молекулы, оптика

Механизм межзонной оже-рекомбинации в InGaN/GaN квантовых ямах в присутствии встроенного пьезоэлектрического поля
  285
Сродство молекул к электрону и активационный барьер на пути автоотщепления электрона из газофазных молекулярных отрицательных ионов
  296
Генерация второй гармоники в массивах металлических частиц на феррит-гранате
  304
Искусственный одноосный кристалл и управление расходимостью лазерного излучения
  315
Влияние плотности мишени на зарядовые состояния ионов урана с энергией 1.4 МэВ/н при взаимодействии с газом О2
  325
Cavity QED with Degenerate Atomic Levels and Polarization-Degenerate Field Mode
  331

2. Ядра, частицы, поля, гравитация и астрофизика

Первые экспериментальные результаты, полученные на установке ENDA-INR
  343

4. Порядок, беспорядок и фазовые переходы в конденсированных средах

Критическое поведение трехкомпонентной модели Поттса с вмороженным беспорядком на квадратной решетке
  350
Численное исследование проводимости двумерной модели Рэлея с диэлектрическими включениями
  357
Проявление медленной динамики в гейзенберговских спиновых структурах
  365
Магнитооптическая спектроскопия мемристорных нанокомпозитных пленок CoFeB-LiNbO3
  382
Экспериментальные исследования перехода жидкость-стекло для As2S3 при высоких гидростатических давлениях до 5 ГПа
  390
On the Theory of Homogeneous Nucleation of Crystals from Melts
  401
Stabilization of the Collinear Plateau Phase by Thermal Fluctuations in the Diluted Triangular Lattice Antiferromagnet Rb(1-x)KxFe(MoO4)2
  414

5. Электронные свойства твердых тел

Процессы электрон-электронного рассеяния в квантовых ямах в квантующем магнитном поле. I.Внутриподзонное рассеяние
  425
Влияние токов утечки на резистивное переключение и процедуру формовки мемристивных OxRAM-устройств
  440
 
Сообщить о технических проблемах