ZhETF, Vol. 136,
No. 3,
p. 543 (September 2009)
(English translation - JETP,
Vol. 109, No. 3,
p. 466,
September 2009
available online at www.springer.com
)
РЕЗОНАНСЫ ФАНО В СПЕКТРЕ ПРИМЕСНОГО ФОТОТОКА В СОЕДИНЕНИИ GaAs И В ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ InGaAs/GaAsP С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ, ЛЕГИРОВАННЫХ МЕЛКИМИ АКЦЕПТОРАМИ
Алешкин В.Я., Антонов А.В., Гавриленко В.И., Гавриленко Л.В., Звонков Б.Н.
Received: March 26, 2009
PACS: 71.55.Eq, 71.38.-k
В спектрах фототока образцов p- GaAs и в гетероструктурах p- InGaAs/GaAsP с квантовыми ямами, легированных мелкими акцепторами ( C, Be, Zn), обнаружены и исследованы резонансы Фано, связанные с основным и возбужденными акцепторными состояниями. Выявлено, что резкое изменение диэлектрической проницаемости в зоне остаточных лучей GaAs сильно влияет на вид особенности резонанса Фано, связанной с основным акцепторным состоянием.
|
|
Golden Pages
DJVU (111.8K)
PDF (339.2K)