ЖЭТФ, Том 136,
Вып. 3,
стр. 543 (Сентябрь 2009)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 109, No 3,
p. 466,
September 2009
доступен on-line на www.springer.com
)
РЕЗОНАНСЫ ФАНО В СПЕКТРЕ ПРИМЕСНОГО ФОТОТОКА В СОЕДИНЕНИИ GaAs И В ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ InGaAs/GaAsP С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ, ЛЕГИРОВАННЫХ МЕЛКИМИ АКЦЕПТОРАМИ
Алешкин В.Я., Антонов А.В., Гавриленко В.И., Гавриленко Л.В., Звонков Б.Н.
Поступила в редакцию: 26 Марта 2009
PACS: 71.55.Eq, 71.38.-k
В спектрах фототока образцов p- GaAs и в гетероструктурах p- InGaAs/GaAsP с квантовыми ямами, легированных мелкими акцепторами ( C, Be, Zn), обнаружены и исследованы резонансы Фано, связанные с основным и возбужденными акцепторными состояниями. Выявлено, что резкое изменение диэлектрической проницаемости в зоне остаточных лучей GaAs сильно влияет на вид особенности резонанса Фано, связанной с основным акцепторным состоянием.
|
|
Золотые страницы
DJVU (111.8K)
PDF (339.2K)