Эффект порогового по электрическому полю переключения из высокоомного в низкоомное состояние в кристаллах @cee Pb3Mn7O15
Буш А.А., Козлов В.И.

Received: September 2, 2026

DOI: 10.31857/S0044451026120131

PDF (1161.5K)

Изучено влияние электрического поля на электросопротивление кристаллов @cee Pb3Mn7O15. На выращенных раствор-расплавной кристаллизацией монокристаллах @cee Pb3Mn7O15 проведены рентгеновский фазовый и термогравиметрический анализы, выполнены измерения диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь \tg δ в области температур 80-350 К и диапазоне частот 0.1-200 кГц; изучены температурные зависимости электросопротивления на постоянном токе ρ _DC(T,E) с прикладываемым к кристаллу электрическим полем, напряженность которого варьировалась в пределах 0.1-3.0 кВ/см; определены вольт-амперные характеристики кристаллов. Установлено, что кристаллы проявляют эффект порогового по электрическому полю переключения из высокоомного в низкоомное состояние со скачкообразным изменением сопротивления, достигающим 12 порядков. Дана интерпретация наблюдаемых особенностей диэлектрических и транспортных свойств кристаллов на основе поляронного состояния носителей зарядов, совершающих перескоки между позициями кристаллической решетки, и индуцированного внешним электрическим полем перехода поляронов в квазисвободное состояние с резким повышением подвижности. Ключевые слова: монокристаллы @cee Pb3Mn7O15, термогравиметрический анализ, диэлектрические свойства, электросопротивление, вольт-амперные характеристики, малые поляроны, эффект переключения резистивного состояния