ЖЭТФ, Том 160,
Вып. 4,
стр. 565 (Октябрь 2021)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 133, No 4,
p. 488,
October 2021
доступен on-line на www.springer.com
)
Транспорт заряда в аморфном нитриде кремния
Новиков Ю.Н., Гриценко В.А.
Поступила в редакцию: 28 Апреля 2021
DOI: 10.31857/S0044451021100138
В широком диапазоне электрических полей и температур экспериментально рассмотрен перенос заряда в аморфном нитриде кремния (Si3N4). Экспериментальные результаты сравниваются с численными расчетами. Для описания ионизации глубоких центров (ловушек) в Si3N4 использовались эффект Френкеля с учетом термически облегченного туннелирования и многофононный механизм. Показано, что эффект Френкеля c учетом термически облегченного туннелирования формально описывает эксперимент, но в расчетах при этом необходимо использовать аномально малый частотный фактор (109 c-1) и большую эффективную туннельную массу (3m0). Удовлетворительное согласие эксперимента с расчетом получено при использовании теории многофононной ионизации ловушек со следующими параметрами: WTe,h=1.6 эВ, Wopte,h=3.2 эВ, Wphe,h =0.064 эВ, m*e,h =0.6m0 и Ne,h =6 • 1018 см-3, что соответствует термической энергии, оптической энергии, энергии фонона, эффективной туннельной массе и концентрации электронных и дырочных ловушек.
|
|