Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 160, Вып. 4, стр. 565 (Октябрь 2021)
(Английский перевод - JETP, Vol. 133, No 4, p. 488, October 2021 доступен on-line на www.springer.com )

Транспорт заряда в аморфном нитриде кремния
Новиков Ю.Н., Гриценко В.А.

Поступила в редакцию: 28 Апреля 2021

DOI: 10.31857/S0044451021100138

PDF (298.4K)

В широком диапазоне электрических полей и температур экспериментально рассмотрен перенос заряда в аморфном нитриде кремния (Si3N4). Экспериментальные результаты сравниваются с численными расчетами. Для описания ионизации глубоких центров (ловушек) в Si3N4 использовались эффект Френкеля с учетом термически облегченного туннелирования и многофононный механизм. Показано, что эффект Френкеля c учетом термически облегченного туннелирования формально описывает эксперимент, но в расчетах при этом необходимо использовать аномально малый частотный фактор (109 c-1) и большую эффективную туннельную массу (3m0). Удовлетворительное согласие эксперимента с расчетом получено при использовании теории многофононной ионизации ловушек со следующими параметрами: WTe,h=1.6 эВ, Wopte,h=3.2 эВ, Wphe,h =0.064 эВ, m*e,h =0.6m0 и Ne,h =6 • 1018 см-3, что соответствует термической энергии, оптической энергии, энергии фонона, эффективной туннельной массе и концентрации электронных и дырочных ловушек.

 
Сообщить о технических проблемах