Транспорт заряда в аморфном нитриде кремния
Новиков Ю.Н., Гриценко В.А.

Received: April 28, 2021

DOI: 10.31857/S0044451021100138

PDF (298.4K)

В широком диапазоне электрических полей и температур экспериментально рассмотрен перенос заряда в аморфном нитриде кремния (Si₃N₄). Экспериментальные результаты сравниваются с численными расчетами. Для описания ионизации глубоких центров (ловушек) в Si₃N₄ использовались эффект Френкеля с учетом термически облегченного туннелирования и многофононный механизм. Показано, что эффект Френкеля c учетом термически облегченного туннелирования формально описывает эксперимент, но в расчетах при этом необходимо использовать аномально малый частотный фактор (10⁹ c^-1) и большую эффективную туннельную массу (3m₀). Удовлетворительное согласие эксперимента с расчетом получено при использовании теории многофононной ионизации ловушек со следующими параметрами: W_T^e,h=1.6 эВ, W_opt^e,h=3.2 эВ, W_ph^e,h =0.064 эВ, m^*_e,h =0.6m₀ и N^e,h =6 • 10¹⁸ см^-3, что соответствует термической энергии, оптической энергии, энергии фонона, эффективной туннельной массе и концентрации электронных и дырочных ловушек.