Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 142, Вып. 3, стр. 542 (Сентябрь 2012)
(Английский перевод - JETP, Vol. 115, No 3, p. 480, September 2012 доступен on-line на www.springer.com )

MAGNETORESISTIVITY IN A TILTED MAGNETIC FIELD IN p- Si/SiGe/Si HETEROSTRUCTURES WITH AN ANISOTROPIC g-FACTOR. PART II
Drichko I.L., Smirnov I.Yu., Suslov A.V., Mironov O.A., Leadley D.R.

Поступила в редакцию: 25 Октября 2011

DJVU (204.5K) PDF (1141.9K)

The magnetoresistance components ρxx and ρxy were measured in two p- Si/SiGe/Si quantum wells that have an anisotropic g-factor in a tilted magnetic field as a function of the temperature, field, and tilt angle. Activation energy measurements demonstrate the existence of a ferromagnetic-paramagnetic (F-P) transition for the sample with the hole density p=2• 1011 cm-2. This transition is due to the crossing of the 0\uparrow and 1\downarrow Landau levels. However, in another sample, with p=7.2• 1010 cm-2, the 0\uparrow and 1\downarrow Landau levels coincide for angles θ=0-70^\circ. Only for \theta>70^\circ do the levels start to diverge which, in turn, results in the energy gap opening.

 
Сообщить о технических проблемах