Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 136, Вып. 2, стр. 272 (Август 2009)
(Английский перевод - JETP, Vol. 109, No 2, p. 227, August 2009 доступен on-line на www.springer.com )

ВЕРХНЕЕ КРИТИЧЕСКОЕ ПОЛЕ Hc2 В АНИЗОТРОПНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКАХ С ПЕРЕМЕННОЙ ПЛОТНОСТЬЮ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА. ПРИМЕНЕНИЕ ТЕОРИИ К ДОПИРОВАННОМУ MgB2
Палистрант М.Е., Чеботарь И.Д., Урсу В.А.

Поступила в редакцию: 28 Января 2009

PACS: 74.25.Ha

DJVU (128.1K) PDF (313.4K)

Построена теория магнитных свойств двухзонного сверхпроводника с переменной плотностью носителей заряда. Определено верхнее критическое поле Hc2(ab), параллельное плоскости ab, и Hc2(c), параллельное оси c во всем температурном интервале 0c. Выявлено значительное увеличение верхнего критического поля Hc2(ab) по сравнению с Hc2(c) из-за сильной анизотропии системы. Получена также анизотропия коэффициента γH=Hc2(ab)/Hc2(c) как функция температуры для случая чистого MgB2, а также химического потенциала при замещении атомов Mg и B другими химическими элементами. Обнаружена корреляция между изменением температуры сверхпроводящего перехода с ростом химического потенциала и магнитными критическими полями Hc2(ab) и Hc2(c). Определено также влияние допирования на магнитную анизотропию.

 
Сообщить о технических проблемах