ВЕРХНЕЕ КРИТИЧЕСКОЕ ПОЛЕ H_c2 В АНИЗОТРОПНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКАХ С ПЕРЕМЕННОЙ ПЛОТНОСТЬЮ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА. ПРИМЕНЕНИЕ ТЕОРИИ К ДОПИРОВАННОМУ MgB₂
Палистрант М.Е., Чеботарь И.Д., Урсу В.А.

Received: January 28, 2009

PACS: 74.25.Ha

DJVU (128.1K)

PDF (313.4K)

Построена теория магнитных свойств двухзонного сверхпроводника с переменной плотностью носителей заряда. Определено верхнее критическое поле H_c2^(ab), параллельное плоскости ab, и H_c2^(c), параллельное оси c во всем температурном интервале 0c. Выявлено значительное увеличение верхнего критического поля H_c2^(ab) по сравнению с H_c2^(c) из-за сильной анизотропии системы. Получена также анизотропия коэффициента γ_H=H_c2^(ab)/H_c2^(c) как функция температуры для случая чистого MgB₂, а также химического потенциала при замещении атомов Mg и B другими химическими элементами. Обнаружена корреляция между изменением температуры сверхпроводящего перехода с ростом химического потенциала и магнитными критическими полями H_c2^(ab) и H_c2^(c). Определено также влияние допирования на магнитную анизотропию.