СВОЙСТВА ЭКСИТОННЫХ СОСТОЯНИЙ В КВАНТОВЫХ ЯМАХ GaAs/AlGaAs В ПРИСУТСТВИИ КВАЗИДВУМЕРНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗА
Кулаковский Дм.В., Губарев С.И., Лозовик Ю.Е.

Поступила в редакцию: 30 Октября 2001

PACS: 71.35.Cc, 78.66.Fd

DJVU (124.6K)

PDF (414.8K)

В приближениях невзаимодействующих электронов и локального поля самосогласованным образом рассчитаны изменения энергии связи и силы осциллятора экситонного состояния в результате экранирования квазидвумерным электронным газом. Показано, что коллапс связанного состояния происходит при очень малых концентрациях, см^-2, что является следствием учета нелинейности отклика системы на кулоновское возмущение. Исследована температурная зависимость коллапса экситона. Построена фазовая диаграмма диссоциации данного связанного состояния и показана область, в которой имеется возможность экспериментального наблюдения температурной зависимости коллапса экситона.