
ЖЭТФ, Том 121,
Вып. 4,
стр. 915 (Апрель 2002)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 94, No 4,
p. 785,
April 2002
доступен on-line на www.springer.com
)
СВОЙСТВА ЭКСИТОННЫХ СОСТОЯНИЙ В КВАНТОВЫХ ЯМАХ GaAs/AlGaAs В ПРИСУТСТВИИ КВАЗИДВУМЕРНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗА
Кулаковский Дм.В., Губарев С.И., Лозовик Ю.Е.
Поступила в редакцию: 30 Октября 2001
PACS: 71.35.Cc, 78.66.Fd
В приближениях невзаимодействующих электронов и локального поля самосогласованным образом рассчитаны изменения энергии связи и силы осциллятора экситонного состояния в результате экранирования квазидвумерным электронным газом. Показано, что коллапс связанного состояния происходит при очень малых концентрациях, см-2, что является следствием учета нелинейности отклика системы на кулоновское возмущение. Исследована температурная зависимость коллапса экситона. Построена фазовая диаграмма диссоциации данного связанного состояния и показана область, в которой имеется возможность экспериментального наблюдения температурной зависимости коллапса экситона.
|
|