Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 121, No. 4, p. 915 (April 2002)
(English translation - JETP, Vol. 94, No. 4, p. 785, April 2002 available online at www.springer.com )

СВОЙСТВА ЭКСИТОННЫХ СОСТОЯНИЙ В КВАНТОВЫХ ЯМАХ GaAs/AlGaAs В ПРИСУТСТВИИ КВАЗИДВУМЕРНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗА
Кулаковский Дм.В., Губарев С.И., Лозовик Ю.Е.

Received: October 30, 2001

PACS: 71.35.Cc, 78.66.Fd

DJVU (124.6K) PDF (414.8K)

В приближениях невзаимодействующих электронов и локального поля самосогласованным образом рассчитаны изменения энергии связи и силы осциллятора экситонного состояния в результате экранирования квазидвумерным электронным газом. Показано, что коллапс связанного состояния происходит при очень малых концентрациях, N_s\approx 5 \cdot 10^9 см-2, что является следствием учета нелинейности отклика системы на кулоновское возмущение. Исследована температурная зависимость коллапса экситона. Построена фазовая диаграмма диссоциации данного связанного состояния и показана область, в которой имеется возможность экспериментального наблюдения температурной зависимости коллапса экситона.

 
Report problems