Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


JETP, Vol. 42, No 3, p. 503 (October 1975)
(Русский оригинал - ЖЭТФ, Том 69, Вып. 3, стр. 990, Октябрь 1975 )

Concerning the mechanism of formation of the diode effect in silicon under the influence of an individual dislocation
V.G. Eremenko, V.I. Nikitenko, A.B. Yakimov

Поступила в редакцию: 24 Марта 1975

PDF (258.8K)


 
Сообщить о технических проблемах