РЕЗОНАНСНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВУЮЩИХ ЭЛЕКТРОНОВ В ПЕРЕМЕННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ
Елесин В.Ф.

Received: May 19, 2013

DOI: 10.7868/S0044451013110199

DJVU (154K)

PDF (288K)

В рамках когерентной модели туннелирования, включающей систему уравнений Шредингера и Пуассона с открытыми граничными условиями, решена задача о влиянии межэлектронного взаимодействия на статические и динамические свойства двухбарьерной наноструктуры (резонансно-туннельного диода - РТД). В квазиклассическом приближении получены явные аналитические выражения для постоянного и переменных потенциалов и приведенных токов (активных и реактивных) в широком интервале частот. Они позволяют провести анализ частотных характеристик РТД. Показано, что учет взаимодействия может радикально менять вид этих зависимостей, особенно при наличии гистерезиса ВАХ. В этом случае активный ток и переменные потенциалы могут резко увеличиваться как на низких, так и на высоких частотах. Для этого необходимо выполнение условий квантового режима и выбор соответствующей рабочей точки на ВАХ РТД. Предсказывается возможность возникновения специфических плазменных колебаний, улучшающих высокочастотные характеристики РТД. Показано, что активный ток может достигать величины, сравнимой со значением резонансного постоянного тока РТД.