Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 132, No. 6, p. 1379 (December 2007)
(English translation - JETP, Vol. 105, No. 6, p. 1209, December 2007 available online at www.springer.com )

САМОСОГЛАСОВАННАЯ НЕОДНОРОДНОСТЬ КВАНТОВЫХ ЯМ ПОЛУПРОВОДНИКОВ A2B6
Мартовицкий В.П., Козловский В.И., Кузнецов П.И., Санников Д.А.

Received: February 7, 2007

PACS: 61.10.Nz, 68.55.Jk, 68.65.Hb, 78.67.De

DJVU (225.8K) PDF (846.8K)

Для исследования квантовых ям (КЯ) шириной 5-8 нм, разделенных толстыми барьерными слоями 100-220 нм, разработана рентгенодифракционная методика с использованием слегка расходящегося пучка (3') и максимально достижимых углов дифракции вплоть до θB=77. Преимущество такой методики по сравнению с применением параллельного пучка заключается в повышении на два порядка интенсивности пучка, падающего на образец, и в увеличении вероятности дифракции всех КЯ как единого монокристалла. Обнаружено, что рост на подложках GaAs, разориентированных от плоскости (001) на угол 10 к направлению [111]A, вызывает моноклинизацию кристаллических решеток слоев КЯ и барьерных слоев в противоположных направлениях. Наблюдается неоднородность состава по толщине каждой ямы. При росте структуры ZnSe/ZnMgSSe, у которой слои имеют период кристаллической решетки, близкий к периоду решетки подложки GaAs, КЯ неоднородно легируются элементами состава барьерных слоев. При росте рассогласованных слоев в структурах ZnCdSe/ZnSSe и ZnCdS/ZnSSe наблюдаемая неоднородность состава КЯ обусловлена тем, что несоответствие в параметрах решеток КЯ и барьеров стимулирует рост самосогласованных составов, понижая на начальных этапах роста концентрацию кадмия в КЯ Zn1-xCdxSe по сравнению с его концентрацией в потоке газов и повышая концентрацию цинка в КЯ Cd1-xZnxS при малых x до концентрации согласования с GaAs (x=0.4). Напряжения несоответствия частично релаксируются дислокациями с плоскостями скольжения (111)A, в результате чего наблюдается сочетание поворота кристаллических плоскостей слоев и КЯ вокруг оси [1\bar{1}0] с почти цилиндрическим изгибом всего образца вокруг перпендикулярной оси [110]. Рассогласование параметра решетки барьерных слоев ZnMgSSe с подложкой вызывает распад этих слоев на две фазы, обусловленный термодинамической неустойчивостью твердого раствора.

 
Report problems