Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 128, No. 6, p. 1288 (December 2005)
(English translation - JETP, Vol. 101, No. 6, p. 1130, December 2005 available online at www.springer.com )

ДЕФОРМАЦИЯ ВОЛНЫ ЗАРЯДОВОЙ ПЛОТНОСТИ ВБЛИЗИ МИКРОКОНТАКТА С НОРМАЛЬНЫМ МЕТАЛЛОМ
Синченко А.А., Покровский В.Я.

Received: June 17, 2005

PACS: 71.30.+h, 73.63.Rt, 73.40.Ns, 72.15.Nj

DJVU (172.3K) PDF (841.7K)

Исследованы вольт-амперные характеристики микроконтактов Cu-K0.3MoO3 между металлом и полупроводником с волной зарядовой плотности при разных диаметрах контактов в широком диапазоне температур T и напряжений V. В интервале 80 \text{K}\lesssim T \lesssim 150 K вольт-амперные характеристики хорошо описываются в рамках полупроводниковой модели: экранирование внешнего электрического поля приводит к деформации волны зарядовой плотности, сдвигу химического потенциала квазичастиц и изменению сопротивления микроконтакта. Показано, что в равновесии химический потенциал находится выше середины пайерлсовской щели и приближается к ее середине с повышением температуры. На вольт-амперных характеристиках микроконтактов диаметром d \gtrsim 100 наблюдается резкое уменьшение сопротивления при |V| > Vt, связанное с началом локального, в пределах приконтактной области, скольжения волны зарядовой плотности. Зависимость Vt(d,T) может быть объяснена размерным эффектом в проскальзывании фазы волны зарядовой плотности.

 
Report problems