Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 128, Вып. 6, стр. 1288 (Декабрь 2005)
(Английский перевод - JETP, Vol. 101, No 6, p. 1130, December 2005 доступен on-line на www.springer.com )

ДЕФОРМАЦИЯ ВОЛНЫ ЗАРЯДОВОЙ ПЛОТНОСТИ ВБЛИЗИ МИКРОКОНТАКТА С НОРМАЛЬНЫМ МЕТАЛЛОМ
Синченко А.А., Покровский В.Я.

Поступила в редакцию: 17 Июня 2005

PACS: 71.30.+h, 73.63.Rt, 73.40.Ns, 72.15.Nj

DJVU (172.3K) PDF (841.7K)

Исследованы вольт-амперные характеристики микроконтактов Cu-K0.3MoO3 между металлом и полупроводником с волной зарядовой плотности при разных диаметрах контактов в широком диапазоне температур T и напряжений V. В интервале 80 \text{K}\lesssim T \lesssim 150 K вольт-амперные характеристики хорошо описываются в рамках полупроводниковой модели: экранирование внешнего электрического поля приводит к деформации волны зарядовой плотности, сдвигу химического потенциала квазичастиц и изменению сопротивления микроконтакта. Показано, что в равновесии химический потенциал находится выше середины пайерлсовской щели и приближается к ее середине с повышением температуры. На вольт-амперных характеристиках микроконтактов диаметром d \gtrsim 100 наблюдается резкое уменьшение сопротивления при |V| > Vt, связанное с началом локального, в пределах приконтактной области, скольжения волны зарядовой плотности. Зависимость Vt(d,T) может быть объяснена размерным эффектом в проскальзывании фазы волны зарядовой плотности.

 
Сообщить о технических проблемах