СПИН-ПОЛЯРИЗОВАННОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ В МАНГАНИТ ЛАНТАНА
Свистунов В.М., Медведев Ю.В., Таренков В.Ю., Дьяченко А.И., Hatta E., Aoki R., Mukasa K., Szymczak H., Lewandowski S., Leszcynski J.

Received: December 31, 1999

PACS: 72.15.Gd, 75.50.Cc

Выполнены туннельные эксперименты на керамических образцах состава La_0.6Sr_0.4MnO₃, проявляющего эффект отрицательного магнитосопротивления. Изучены два типа контактов: симметричный контакт (типа break junction) и несимметричный контакт керамика-диэлектрик-металл. Высокая чувствительность проводимости σ(H) контактов к магнитному полю наблюдалась даже тогда, когда только один из электродов был магнитным. Эффект объясняется существованием спин-поляризованных локализованных состояний в туннельном барьере. Их появление связывается с формированием в приконтактной области, обедненной кислородом, магнитно-двухфазного состояния локализованных ферромагнитных нанообластей в антиферромагнитной диэлектрической матрице.