Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 118, Вып. 3, стр. 629 (Сентябрь 2000)
(Английский перевод - JETP, Vol. 91, No 3, p. 547, September 2000 доступен on-line на www.springer.com )

СПИН-ПОЛЯРИЗОВАННОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ В МАНГАНИТ ЛАНТАНА
Свистунов В.М., Медведев Ю.В., Таренков В.Ю., Дьяченко А.И., Hatta E., Aoki R., Mukasa K., Szymczak H., Lewandowski S., Leszcynski J.

Поступила в редакцию: 31 Декабря 1999

PACS: 72.15.Gd, 75.50.Cc

Выполнены туннельные эксперименты на керамических образцах состава La0.6Sr0.4MnO3, проявляющего эффект отрицательного магнитосопротивления. Изучены два типа контактов: симметричный контакт (типа break junction) и несимметричный контакт керамика-диэлектрик-металл. Высокая чувствительность проводимости σ(H) контактов к магнитному полю наблюдалась даже тогда, когда только один из электродов был магнитным. Эффект объясняется существованием спин-поляризованных локализованных состояний в туннельном барьере. Их появление связывается с формированием в приконтактной области, обедненной кислородом, магнитно-двухфазного состояния локализованных ферромагнитных нанообластей в антиферромагнитной диэлектрической матрице.

 
Сообщить о технических проблемах