ЛОКАЛИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В НЕВЫРОЖДЕННОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ СО СЛУЧАЙНЫМ ПОТЕНЦИАЛОМ ЗАРЯЖЕННЫХ ПРИМЕСЕЙ
Жданова Н.Г., Каган М.С., Ландсберг Е.Г.

Received: August 11, 1999

PACS: 71.55.Jv. 72.15.Rn, 72.20.My, 72.80.Cw

В полупроводнике с крупномасштабным потенциалом заряженных примесей обнаружено насыщение подвижности электронов, определенной по магнитосопротивлению, и показано, что оно связано с существованием квантового порога подвижности. Обнаружено отрицательное магнитосопротивление невырожденных электронов, вызванное подавлением квантовых интерференционных поправок к проводимости магнитным полем. Малая величина этих поправок вблизи порога подвижности объясняется отсутствием коротких замкнутых электронных траекторий в крупномасштабном потенциале. Установлена связь насыщенных значений подвижности и квантовых поправок к проводимости с амплитудой случайного потенциала.