ЖЭТФ, Том 117,
Вып. 4,
стр. 761 (Апрель 2000)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 90, No 4,
p. 622,
April 2000
доступен on-line на www.springer.com
)
ЛОКАЛИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В НЕВЫРОЖДЕННОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ СО СЛУЧАЙНЫМ ПОТЕНЦИАЛОМ ЗАРЯЖЕННЫХ ПРИМЕСЕЙ
Жданова Н.Г., Каган М.С., Ландсберг Е.Г.
Поступила в редакцию: 11 Августа 1999
PACS: 71.55.Jv. 72.15.Rn, 72.20.My, 72.80.Cw
В полупроводнике с крупномасштабным потенциалом заряженных примесей обнаружено насыщение подвижности электронов, определенной по магнитосопротивлению, и показано, что оно связано с существованием квантового порога подвижности. Обнаружено отрицательное магнитосопротивление невырожденных электронов, вызванное подавлением квантовых интерференционных поправок к проводимости магнитным полем. Малая величина этих поправок вблизи порога подвижности объясняется отсутствием коротких замкнутых электронных траекторий в крупномасштабном потенциале. Установлена связь насыщенных значений подвижности и квантовых поправок к проводимости с амплитудой случайного потенциала.
|
|