Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


Поиск публикаций автора "Бенеманская Г.В."
Найдено 4
1. МОДИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ И ФОРМИРОВАНИЕ АККУМУЛЯЦИОННОГО СЛОЯ УЛЬТРАТОНКИХ ИНТЕРФЕЙСОВ Ba/n- GaN И Ba/n- AlGaN
2. АККУМУЛЯЦИОННЫЕ ЗАРЯДОВЫЕ СЛОИ И ПОВЕРХНОСТНЫЕ СОСТОЯНИЯ УЛЬТРАТОНКИХ ИНТЕРФЕЙСОВ Cs, Ba/n-GаN(0001)
3. ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА Cs/GaAs(100) И ФОРМИРОВАНИЕ МЕТАСТАБИЛЬНЫХ Cs-КЛАСТЕРОВ
4. Электронная структура и локальные взаимодействия на поверхности Si(100)2x1 с субмонослойеыми пленками Ba
Название
Автор
 с   по 
 Искать в русском архиве
 Искать в английском архиве
 
Сообщить о технических проблемах