Генерация импульсов звука при межзонном поглощении фемтосекундного лазерного импульса в GaAs
Данилов Е.А., УРюпин С.А.

Поступила в редакцию: 27 Мая 2026

DOI: 10.31857/S0044451026090011

PDF (336.5K)

Изучены импульсы звука, возникающие при воздействии на полупроводник фемтосекундного импульса лазерного излучения с несущей частотой, большей ширины запрещенной зоны. Импульсы звука возникают из-за изменения деформационного потенциала, порождаемого градиентом давления фотовозбужденных частиц. В зависимости от соотношения между временем τ _a распространения звука по области поглощения лазерного излучения и временем τ _da выхода фронта амбиполярной диффузии из области поглощения возможны два режима генерации звука. В случае медленной амбиполярной диффузии, когда τ _a \ll τ _da, импульс звука имеет два пика шириной \sim τ _a. Первый пик отвечает звуку, уходящему из области поглощения в глубь полупроводника, а второй - звуку, который сначала распространяется к поверхности полупроводника, а затем отражается от нее. В случае быстрой амбиполярной диффузии, когда τ _a \gg τ _da, ширина импульса звука определяется временем \sim τ _da. При этом импульс звука имеет относительно резкий передний фронт и медленно уменьшающийся задний фронт. Ключевые слова: импульс звука, полупроводник, фотовозбужденные электроны, градиент давления, лазерный импульс