Захват носителей заряда на состояния вакансий ртути в квантовых ямах Hg_1-x CdxTe/Hg_1-x CdxTe с малой шириной запрещенной зоны
Козлов Д.В., Румянцев В.В., Мажукина К.А., Кирьянова Е.Н., Гавриленко В.И.

Поступила в редакцию: 29 Октября 2025

DOI: 10.31857/S0044451026080044

PDF (435.5K)

Для гетероструктур Cd_yHg_1-yTe/Hg_1-xCd_xTe с квантовыми ямами рассчитано время захвата электронов из зоны проводимости и дырок из валентной зоны на состояния вакансий ртути в запрещенной зоне при испускании одиночных оптических фононов. Как и в объемном материале, время захвата электронов значительно больше времени захвата дырок, и скорость рекомбинации Шокли-Рида-Холла определяется захватом электронов. Результаты позволили описать процесс возникновения терагерцевой фотолюминесценции с участием вакансий ртути и немонотонной зависимости ее интенсивности от мощности оптического возбуждения. Ключевые слова: HgCdTe, квантовые ямы, вакансии ртути, рекомбинация Шокли-Рида-Холла, оптические фононы, терагерцевая фотолюминесценция