Атомная и электронная структура дефектных комплексов и вакансий кислорода в и их влияние на транспорт заряда в мемристорах
Перевалов Т.В., Исламов Д.Р., Чернов А.А.

Поступила в редакцию: 17 Сентября 2025

DOI: 10.7868/S3034641X25120124

PDF (1294.7K)

Работа посвящена теоретическому исследованию в рамках теории функционала плотности атомной и электронной структуры дефектных комплексов, образованных атомами никеля и кислородными вакансиями в HfO₂. Рассматриваются как Ni в междоузельной позиции, так и в позиции замещения Hf. Показано, что Ni облегчает образование кислородных вакансий и их кластеризацию. Локализация носителей заряда происходит преимущественно на кислородных вакансиях, тогда как никель оказывает косвенное влияние на транспорт заряда. Комплексы никеля и вакансий кислорода не формируют мелких ловушек. Показано, что филаментарные структуры в виде непрерывных металлических цепочек в HfO₂ не обладают металлической проводимостью.