Интерфейсные состояния в структурах с квантовыми ямами ZnSe/BeTe, не имеющих общих атомов, на гетерограницах в сильном магнитном поле
Белова Д.Д., Зедоми Т.Э., Гуревич А.С., Котова Л.В., Кочерешко В.П.

Поступила в редакцию: 18 Июля 2025

DOI: 10.7868/S3034641X25100042

PDF (1178.2K)

Исследовались спектры фотолюминесценции в области пространственно-прямых и непрямых межзонных оптических переходов в структурах ZnSe/BeTe второго типа с квантовыми ямами, не имеющих общих атомов, на интерфейсах в магнитных полях до 45 Тл. В спектрах в области непрямых переходов наблюдались состояния носителей, локализованных на интерфейсах. Были измерены константы диамагнитного сдвига и g-факторы всех состояний, что позволило определить радиус их локализации в плоскости интерфейса. Построена теория состояний, локализованных на интерфейсах. Обнаружено взаимное перераспределение интенсивностей линий фотолюминесценции непрямых и интерфейсных экситонов при увеличении магнитного поля. Такое перераспределение интенсивности объясняется перекрытием канала заселения интерфейсных состояний через слой BeTe. Построена модель, описывающая зависимость интенсивностей фотолюминесценции от магнитного поля. Модель демонстрирует высокую степень соответствия экспериментальным данным.