Молекулярно-пучковая эпитаксия тонких пленок h- GaTe/m- GaTe на подложках GaAs (001): структурные и фотолюминесцентные свойства
Сорокин С.В., Седова И.В., Авдиенко П.С., Фирсов Д.Д., Комков О.С., Галимов А.И., Яговкина М.А., Рахлин М.В.

Поступила в редакцию: 1 Сентября 2022

DOI: 10.31857/S0044451022120094

PDF (2026.1K)

Тонкие пленки GaTe выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) на подложках GaAs (001). Методом рентгеновской дифрактометрии подтверждено сосуществование фаз h- и m-GaTe во всех выращенных слоях. Установлена количественная корреляция между условиями МПЭ и фазовым составом формируемых пленок. Экспериментально определен верхний предел температуры МПЭ при выращивании слоев GaTe/GaAs (001). Приведены новые данные, подтверждающие дефектную природу широкой полосы излучения с максимумом -1.46 эВ, доминирующей в спектрах низкотемпературной фотолюминесценции слоев GaTe/GaAs (001).