Исследование в рамках подхода abinitio взаимосвязи структурных, магнитных и оптических свойств нормальных и обратных шпинелей MnGa₂O₄
Жандун В.С., Немцев А.В.

Поступила в редакцию: 28 Мая 2019

DOI: 10.31857/S0044451020030104

PDF (1524.5K)

Проведены исследование ab initio и сравнение электронных, магнитных и оптических свойств MnGa₂O₄ в структурах нормальной и обратной шпинелей. Приближение обобщенного градиента (GGA) предсказывает, что нормальная шпинель MnGa₂O₄ является полупроводником с шириной запрещенной зоны около 0.7 эВ, тогда как в структуре обратной шпинели запрещенная зона появляется только в рамках подхода GGA + U. В рамках простой модели обменных взаимодействий рассчитаны обменные интегралы. В обоих структурных типах MnGa₂O₄ проявляет антиферромагнитное поведение, при этом нормальная структура является более энергетически выгодной. Обратная шпинель становится выгодной только при приложении отрицательного давления. Исследование спектров поглощения нормальной шпинели показывает наличие окна прозрачности на длинах волн выше 450 нм.