ЖЭТФ, Том 154,
Вып. 2,
стр. 368 (Август 2018)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 127, No 2,
August 2018
доступен on-line на www.springer.com
)
Атермическое движение дислокаций на фронте нагружающего импульса
Ниненко С.И.
Поступила в редакцию: 20 Апреля 2018
DOI: 10.1134/S004445101808014X
Обсуждаются характер движения и причины остановки дислокаций при безактивационном движении дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах. Также предложена модель структурной перестройки примесных комплексов, вызванной пространственной переориентацией связанных экситонов, под действием внешних воздействий. В рамках этой модели могут быть объяснены известные эффекты фотопластичности, магнитопластичности и безактивационного движения дислокаций на фронте нагружающего импульса.
|
|