Исследование быстродействия СИНИС-болометра на частоте 350 ГГц
Лемзяков С.А., Тарасов М.А., Эдельман В.С.

Поступила в редакцию: 13 Февраля 2018

DOI: 10.7868/S0044451018060147

PDF (300.2K)

Измерена постоянная времени оптического отклика приемника излучения 350 ГГц на базе интегрированной в планарную логопериодическую антенну туннельной структуры сверхпроводник-изолятор-нормальный металл-изолятор-сверхпроводник с подвешенным нормальным мостиком. Переходные характеристики приемника регистрировались при облучении быстрым криогенным чернотельным источником со временем нарастания порядка микросекунд. Для этого на источник излучения, имеющий малую теплоемкость, подавался короткий мощный импульс нагрева излучающей нихромовой пленки. Измеренное время отклика составило мкс при электронной температуре болометра 0.17 К, при этом потенциально достижима чувствительность приема на уровне 10^-17-10^-18 Вт/Гц^1/2.