К вопросу об энтальпии и энтропии образования точечных дефектов в кристаллах
Кобелев Н.П., Хоник В.А.

Поступила в редакцию: 25 Октября 2017

DOI: 10.7868/S0044451018030070

PDF (226.5K)

Стандартный способ определения энтальпии H и энтропии S формирования точечных дефектов в кристаллах состоит в применении уравнения Аррениуса для концентрации дефектов. Показано, что формальное использование такого метода дает эффективные (кажущиеся) значения этих величин, которые оказываются существенно завышенными. Основная физическая причина этого состоит в зависимости энтальпии формирования дефектов от температуры, которая контролируется температурной зависимостью упругих модулей. Мы выполнили оценку «истинных» значений H и S для алюминия на основе экспериментальных данных с учетом температурной зависимости энтальпии образования, обусловленной температурной зависимостью упругих модулей. Знание «истинных» активационных параметров необходимо для корректного расчета концентрации дефектов и представляет, таким образом, проблему особой важности для различных фундаментальных и прикладных вопросов физики конденсированного состояния и химии.