Спин-зависимая электронная динамика в гибридной нерезонансной гетероструктуре А³В⁵/А²В⁶
Кайбышев В.Х., Торопов А.А., Сорокин С.В., Седова И.В., Климко Г.В., Терентьев Я.В., Иванов С.В.

Поступила в редакцию: 15 Сентября 2017

DOI: 10.7868/S0044451018020074

PDF (224.4K)

Представлено экспериментальное исследование процессов электронной спиновой динамики в гибридной нерезонансной гетероструктуре, включающей слой разбавленного магнитного полупроводника А²MnВ⁶ и асимметричную квантовую яму (КЯ) немагнитного полупроводника А³В⁵. Нерезонансность структуры определялась тем, что уровень основного электронного состояния магнитного слоя приходится на область энергий возбужденных состояний немагнитной КЯ. Обнаружено, что поляризация электронов в основном термализованном состоянии КЯ не подвержена влиянию магнитной части структуры. Однако магнитная часть влияет на поляризацию электронов в возбужденном состоянии посредством процессов спиновой инжекции из магнитного полупроводника и замешивания электронных состояний магнитной и немагнитной подсистем структуры. Возможность управления поляризацией электронного спина через возбуждение носителей в область замешанных состояний наряду с отсутствием деполяризующего влияния магнитного полупроводника на носители в термализованном состоянии КЯ может быть использована при построении новых спинтронных приборов наряду с теми, которые используют процессы спиновой инжекции, оптической ориентации и деполяризации.