Зависимости туннельного магнитосопротивления и переноса спинового момента от размеров и концентрации наночастиц в магнитных туннельных наноконтактах
Исмаили А.М., Усеинов А.Н., Усеинов Н.Х.

Поступила в редакцию: 4 Февраля 2017

DOI: 10.7868/S0044451018010121

PDF (327K)

Вычислены зависимости туннельного магнитосопротивления и параллельной компоненты переноса спинового момента от приложенного напряжения в магнитном туннельном контакте. Расчет выполнен в приближении баллистического транспорта электронов проводимости через изолирующий слой с внедренными в него магнитными или немагнитными наночастицами. Однобарьерный магнитный туннельный контакт с внедренной в изолятор наночастицей образует двухбарьерный магнитный туннельный контакт. Показано, что значение параллельной компоненты переноса спинового момента в двухбарьерном магнитном туннельном контакте может быть больше, чем в однобарьерном для той же самой толщины изолирующего слоя. Согласно расчетам, внедренные в туннельный контакт наночастицы повышают вероятность туннелирования электронов, создают резонансные условия и обеспечивают квантование проводимости в отличие от туннельного контакта без наночастиц. Вычисленные зависимости туннельного магнитосопротивления соответствуют экспериментальным данным, в которых наблюдаются пикообразные аномалии и подавление максимальных значений магнитосопротивления при малых напряжениях.