Насыщение двухплазмонной параметрической распадной неустойчивости в экспериментах по электронному циклотронному нагреву плазмы в результате истощения необыкновенной волны накачки
Гусаков Е.З., Попов А.Ю.

Поступила в редакцию: 22 Апреля 2017

DOI: 10.7868/S0044451017100170

PDF (241.2K)

Анализируется уровень насыщения низкопороговой параметрической неустойчивости двухплазмонного распада необыкновенной волны накачки на два верхнегибридных плазмона в условиях, когда единственным эффективным механизмом насыщения является истощение накачки. Выведена замкнутая система дифференциальных уравнений, описывающая как возбуждение, так и насыщение неустойчивости, проведено ее численное решение и предложено аналитическое выражение для коэффициента аномального поглощения волны накачки, вызванного развитием этой неустойчивости. Уровень насыщения неустойчивости двухплазмонного распада и эффективность связанного с ней аномального поглощения оцениваются на примере данных, полученных в эксперименте по электронному циклотронному нагреву плазмы необыкновенной волной на токамаке TEXTOR.