Электрооптический эффект в плазмонной структуре «стекло-In₂O₃: Sn-сегнетоэлектрик-Al с субволновой решеткой»
Блинов Л.М., Лазарев В.В., Юдин С.Г., Артемов В.В., Горкунов М.В., Палто С.П.

Поступила в редакцию: 2 Апреля 2017

DOI: 10.7868/S0044451017090127

PDF (394.9K)

Исследуются спектральные особенности электрооптического эффекта, в котором внешнее напряжение изменяет показатель преломления сегнетоэлектрика-сополимера. Используются три наноструктуры, из которых две играют вспомогательную роль, а основная структура состоит из стеклянной подложки, прозрачного слоя ITO (In₂O₃:Sn), слоя активного сополимера и слоя Al с нанорешеткой. Такая решетка с периодом 400 нм удовлетворяет условиям возбуждения плазмонных резонансов. Во всех структурах исследовались коэффициенты пропускания света в спектральном диапазоне 400-900 нм. В спектрах пропускания наблюдаются два характерных плазмонных провала, один из которых связан с границей сополимер-ITO, а другой - с границей сополимер-Al. Слои алюминия и ITO играют роль электродов, подводящих импульсы напряжения (от 0 до 15 В) к слою сополимера. При исследовании электрооптического эффекта обнаружены спектральные сдвиги полос плазмонного резонанса при увеличении амплитуды как положительных, так и отрицательных импульсов напряжения (квадратичный эффект). Эти сдвиги изменяют эффективные значения показателей преломления (n_eff) в отдельных элементах структуры, достигая минимальной отрицательной добавки Δ _eff=-0.06.