Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 150, Вып. 5, стр. 985 (Ноябрь 2016)
(Английский перевод - JETP, Vol. 123, No 5, p. 859, November 2016 доступен on-line на www.springer.com )

Статистическая модель металлического включения в полупроводящих средах
Шикин В.Б.

Поступила в редакцию: 9 Ноября 2015

DOI: 10.7868/S0044451016110171

PDF (206.6K)

Обсуждаются свойства отдельного многозарядного атома, внедренного в полупроводящую среду. Рассмотрение обобщает результаты известной теории Томаса-Ферми для многозарядного (Z \gg 1) атома в вакууме при его погружении в электрон-дырочный газ с конечной температурой. Задача об атоме Томаса-Ферми-Дебая имеет прямое отношение к свойствам доноров в слаболегированных полупроводниках и альтернативна в своих заключениях по отношению к идеальному сценарию диссоциации доноров. Отдельный донор при бесконечно слабом легировании в существующей идеальной статистике полностью ионизован (заряженный центр не удерживает нейтрализующих его противоионов). Атом Томаса-Ферми-Дебая (для краткости ТФД-донор) остается нейтральным образованием, удерживающим свою экранирующую «шубу» даже при бесконечно слабом уровне легирования, т.е. в области n_d \lambda _0^3 \ll 1, где nd - концентрация легирующей примеси, λ 0 - дебаевская длина с параметрами собственного полупроводника. В работе обсуждаются различные наблюдаемые следствия в поведении ТФД-донора, дающие возможность судить о реальности заключений ТФД-модели донора.

 
Сообщить о технических проблемах