Эффективный гамильтониан силицена в присутствии электрического и магнитного полей
Герт А.В., Нестоклон М.О., Яссиевич И.Н.

Поступила в редакцию: 19 Октября 2015

DOI: 10.7868/S004445101611016X

PDF (270.6K)

На основе симметрийного анализа построен эффективный гамильтониан силицена в окрестности дираковских точек в присутствии электрического и магнитного полей, перпендикулярных плоскости пленки. Численные коэффициенты при различных слагаемых в гамильтониане найдены с помощью метода сильной связи в базисе sp³d⁵s^* с учетом взаимодействия с одним ближайшим соседом. Этот метод развит в предыдущей работе [e16181-Gert] для случая смещения подрешеток 0.44 A, что соответствует теоретическому значению смещения, полученному из первых принципов для свободной пленки силицена. Проанализировано влияние смещения подрешеток на эффекты ориентации спина и псевдоспина в силицене. Полученный гамильтониан дает возможность рассмотрения спинового и электронного транспорта для носителей заряда с энергией меньше 0.5 эВ. Подробно изучено орбитальное движение электронов во внешнем магнитном поле, перпендикулярном пленке.