Фокусировка фононов и электрон-фононное увлечение в полупроводниковых кристаллах с вырожденной статистикой носителей тока
Кулеев И.Г., Кулеев И.И., Бахарев С.М., Устинов В.В.

Поступила в редакцию: 11 Марта 2016

DOI: 10.7868/S0044451016090145

PDF (514.9K)

Исследовано влияние анизотропии упругих свойств на электрон-фононное увлечение и термоэлектрические явления в бесщелевых полупроводниках с вырожденной статистикой носителей тока. Показано, что фокусировка фононов приводит к ряду новых эффектов в термоэдс увлечения при низких температурах, когда диффузное рассеяние фононов на границах является доминирующим механизмом релаксации. Проанализировано влияние фокусировки фононов на зависимости термоэлектродвижущей силы в кристаллах HgSe:Fe от геометрических параметров и направлений теплового потока относительно осей кристалла в режиме кнудсеновского течения фононного газа. Определены кристаллографические направления, обеспечивающие максимальные и минимальные значения термоэдс. Изучена роль квазипродольных и квазипоперечных фононов в термоэдс увлечения в кристаллах HgSe:Fe при низких температурах. Показано, что в направлениях фокусировки медленные квазипоперечные фононы в достаточно длинных образцах вносят преобладающий вклад в термоэдс увлечения.