Спектральная фоточувствительность органического полупроводника при использовании субмикронной металлической решетки
Блинов Л.М., Лазарев В.В., Юдин С.Г., Палто С.П.

Поступила в редакцию: 21 Августа 2015

DOI: 10.7868/S0044451016020206

PDF (221.4K)

Экспериментально исследован фотоэлектрический эффект в пленках органического полупроводника фталоцианина меди (α -CuPc) для двух принципиально разных геометрий. В случае первой, нормальной, геометрии образец изготавливался в виде «сэндвича» с пленкой α -CuPc, расположенной между прозрачным SnO₂-электродом на подложке и верхним отражающим Al-электродом. Во втором случае планарной геометрии полупроводник наносился на подложку с системой субмикронных встречно-штыревых электродов из хрома. Обнаружено, что в случае планарной геометрии эффективная удельная фотопроводимость в сотни раз превышает таковую в нормальной геометрии. Наряду с классической моделью (без участия экситонов) предложена простая экситонная модель, в рамках которой получена связь между вероятностью образования электронно-дырочных пар и характерными временами экситонов, определяющими их скорость рекомбинации и диссоциации. В рамках экситонной модели увеличение фотопроводимости в планарной геометрии объясняется увеличением скорости диссоциации экситонов на электронно-дырочные пары благодаря акцепторным молекулам кислорода, которые более эффективно диффундируют в пленку в случае планарной геометрии с отсутствующим верхним электродом.