ЖЭТФ, Том 148,
Вып. 2,
стр. 304 (Август 2015)
(Английский перевод - JETP,
Vol. 121, No 2,
p. 263,
August 2015
доступен on-line на www.springer.com
)
ЗАВИСИМОСТЬ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ ПРЯМОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ОТ ВСЕСТОРОННЕГО ДАВЛЕНИЯ
Гаджиалиев М.М., Даунов М.И., Мусаев А.М.
Поступила в редакцию: 12 Декабря 2014
DOI: 10.7868/S0044451015080131
По результатам количественного анализа барических зависимостей удельного сопротивления ρ(P) и коэффициента Холла RH(P) определена барическая зависимость диэлектрической проницаемости χ в диапазоне всестороннего давления от нуля до 1 ГПа в прямозонных полупроводниках ZnO, CdTe, InSb, InAs, CdSnAs2 и CdGeAs2. Выяснено, что диэлектрическая постоянная убывает с ростом давления, причем коэффициент (dχ/dP)/χ возрастает с увеличением (dEg/dP)/Eg.
|
|
Золотые страницы
DJVU (67.2K)
PDF (241.4K)