Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 148, Вып. 2, стр. 299 (Август 2015)
(Английский перевод - JETP, Vol. 121, No 2, p. 259, August 2015 доступен on-line на www.springer.com )

INVESTIGATION OF LOCAL TUNNELING CURRENT NOISE SPECTRA ON THE SILICON CRYSTAL SURFACES BY MEANS OF STM/STS
Mantsevich V.N., Maslova N.S., Cao G.Y.

Поступила в редакцию: 5 Декабря 2014

DOI: 10.7868/S004445101508012X

DJVU (205.6K) PDF (614.3K)

We report on a careful analysis of the local tunneling conductivity by means of ultra-high vacuum scanning tunneling microscopy/spectroscopy (STM/STS) technique in the vicinity of low-dimensional structures on the Si(111)-(7\times7) and Si(110)-(16\times2) surfaces. The power-law exponent α of low-frequency tunneling current noise spectra is investigated for different values of the tunneling contact parameters: relaxation rates, the localized state coupling, and the tunneling barrier width and height.

 
Сообщить о технических проблемах