Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 148, Вып. 2, стр. 275 (Август 2015)
(Английский перевод - JETP, Vol. 121, No 2, p. 237, August 2015 доступен on-line на www.springer.com )

ВЫСОКАЯ Tc В КУПРАТAX КАК УНИВЕРСАЛЬНОЕ СВОЙСТВО ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОЙ СИСТЕМЫ
Мазур Е.А., Каган Ю.

Поступила в редакцию: 3 Февраля 2015

DOI: 10.7868/S004445101508009X

DJVU (127.9K) PDF (322.7K)

Теория Элиашберга, обобщенная за счет особых свойств электронной зоны конечной ширины для электрон-фононных (ЭФ) систем с непостоянной плотностью электронных состояний, а также с учетом электрон-дырочной неэквивалентности, частотного поведения перенормировки химического потенциала в зависимости от степени допирования и электронных корреляций в вершинной функции, используется для изучения Tc в купратах. Рассматривается фононный вклад в нодальную аномальную электронную функцию Грина (ФГ). Учитывается спаривание в пределах полной ширины электронной зоны, а не только в узком слое у поверхности Ферми. Частотная, температурная и зависимость от степени легирования комплексной перенормировки массы \Re Z, \Im Z, комплексной перенормировки химического потенциала \Re\chi (\omega), \Im\chi (\omega), плотности состояний N(\varepsilon), перенормированной за счет ЭФ-взаимодействия, полученные расчетным путем, используются для расчета электронной нодальной аномальной ФГ. Обнаружено, что эффект подавления вклада высоких частот в полученных заново уравнениях Элиашберга ЭФ-системы с конечной шириной электронной зоны является решающим фактором для проявления эффекта высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП). Показано, что вблизи оптимального допирования дырочного типа в купратах высокое значение Tc воспроизводится спектральной функцией электрон-фононного взаимодействия, полученной из туннельных экспериментов. С увеличением степени дырочного допирования, ведущей к увеличению степени электрон-дырочной неэквивалентности, новый логарифмический член в уравнениях для Tc имеет тенденцию увеличивать Tc, в то время как увеличение затухания носителей и, особенно, ослабление «обрезающего» фактора приводят к снижению Tc.

 
Сообщить о технических проблемах