Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 148, Вып. 1, стр. 133 (Июль 2015)
(Английский перевод - JETP, Vol. 121, No 1, p. 115, July 2015 доступен on-line на www.springer.com )

ЗОННАЯ СТРУКТУРА СИЛИЦЕНА В ПРИБЛИЖЕНИИ СИЛЬНОЙ СВЯЗИ
Герт А.В., Нестоклон М.О., Яссиевич И.Н.

Поступила в редакцию: 24 Декабря 2014

DOI: 10.7868/S0044451015070123

DJVU (400K) PDF (1189.9K)

Представлено моделирование электронной структуры силицена методом сильной связи с базисом sp3d5s*. Результаты работы хорошо согласуются с расчетами из первых принципов. Методом инвариантов построен эффективный гамильтониан силицена в окрестности дираковской точки. В силицене атомы кремния расположены в двух параллельных плоскостях, перпендикулярно смещенных друг относительно друга на Δz, энергетический спектр существенно зависит от этого смещения. При помощи метода сильной связи определены коэффициенты эффективного гамильтониана для различных Δz.

 
Сообщить о технических проблемах