УПРАВЛЯЕМЫЕ МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ СОСТОЯНИЯ В СИСТЕМЕ ГРАФЕН - АНТИФЕРРОМАГНИТНЫЙ ФОТОННЫЙ КРИСТАЛЛ
Аверков Ю.О., Тарапов С.И., Яковенко В.М., Ямпольский В.А.

Поступила в редакцию: 30 Июня 2014

DOI: 10.7868/S004445101504014X

DJVU (131.1K)

PDF (339.9K)

Теоретически исследованы поверхностные электромагнитные состояния (ПЭМС) в терагерцевом частотном диапазоне на графене с линейным законом дисперсии носителей заряда, помещенном в антиферромагнитный фотонный кристалл. Элементарная ячейка такого кристалла состоит из слоев немагнитного диэлектрика и одноосного антиферромагнетика, легкая ось которого параллельна слоям кристалла. Постоянное магнитное поле направлено параллельно легкой оси антиферромагнетика. Получено выражение, связывающее частоты ПЭМС с параметрами структуры. Решена задача о возбуждении ПЭМС внешней электромагнитной волной TE-поляризации и построены зависимости коэффициента прохождения от величины постоянного магнитного поля и концентрации носителей заряда. Показано, что эти зависимости существенно отличаются от случая обычного двумерного электронного газа с квадратичным законом дисперсии электронов. Таким образом, по положению пиков коэффициента прохождения, связанных с резонансным возбуждением ПЭМС, можно определить характер закона дисперсии носителей заряда в двумерном электронном газе.